一、硅片清洗工艺步骤有哪些

吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清除这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点，对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。

因此在对硅片进行化学清洗时，首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。

在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，因此在化学清洗时，先清除掉离子型吸附杂质，然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。

最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净，再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。

综上所述，清洗硅片的一般工艺程序为：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。另外，为去除硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。

二、硅片清洗后有水印怎么办

1、冲洗不干净，可以拿一些干净的硅片再重新清洗一次，不要过清洗剂槽，看是否有水印出现，若无，则是清洗剂的问题，调整即可。

2、烘干不够，将硅片在进入烘干通道前取出甩干或吹干，看是否有水印，如无，则是加大烘干通道的力度。

3、水中杂质含量过高，造成不易清洗，清除水中的杂质即可。