一、场效应晶体管有什么特点

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型，结型场效应管（junction FET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET），那么场效应晶体管有什么特点呢？

1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）。

2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

3、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好。

4、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。

5、场效应管的抗辐射能力强。

6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

二、场效应晶体管工作原理是什么

在场效应晶体管中，栅极和源极之间的电压可以控制漏极和源极之间的电流。当栅极电压为零时，漏极和源极之间的电流是最大的，这种状态被称为饱和状态。当栅极电压增加时，漏极和源极之间的电流会减小，这种状态被称为截止状态。

场效应晶体管是一种非常重要的半导体器件，它的工作原理是利用栅极电场的作用来控制源极和漏极之间的电流，可以用一个简单的模型来解释。假设栅极和源极之间的电压为零，漏极和源极之间的电流为I0。当栅极电压为Vg时，栅极和源极之间的电场会产生一个电势差，这个电势差可以用公式Vg=Ed/d来计算，其中Ed是电场强度，d是栅极和源极之间的距离。这个电势差会影响漏极和源极之间的电流，使得电流减小到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是场效应晶体管的特定电压。