• 中文名 雷啸霖
• 性别 男
• 国籍 中国
• 民族 汉族
• 出生地 广西桂林
• 出生日期 1938年10月27
• 毕业院校 北京大学
• 职业职位 中国科学院院士
• 主要成就 当选中国科学院院士、与丁秦生教授创立“雷-丁理论”

1955年 - 1963年，在北京大学物理系学习。

1963年，从北京大学毕业，被分到山东大学任教。

1986年，在中国科学院上海冶金所被破格提升为研究员。

1983年，应邀赴美工作，先后被休斯顿大学、纽约市立大学、斯梯文理工学院聘为客座副教授、客座教授，从事凝聚态物理学理论研究。

1997年，当选为中国科学院院士。

1988年，被评为“国家有突出贡献的中青年专家”。

1995年，荣获全国“五一”劳动奖章。

1997年，当选为中国科学院院士。

2006年，荣获“何梁何利科学与技术进步奖”。

20世纪60年代，与吴杭生教授一起提出超导膜的尺寸非局域效应，建立超导薄膜临界磁场随膜厚度变化的-3/2次方规律。

20世纪80年代初，对超导临界温度级数的收敛判据以及声子谱高频行为的效应提出独创见解，得到同行公认。

20世纪80年代中期，与丁秦生教授合作，创立“雷-丁理论”。

20世纪90年代初，发展超晶格子带输运模型，建立在电场和磁场中任意能谱材料的热载流子输运方程。

1991年，提出窄能带材料中电子输运的布拉格散射模型，建立半导体超晶格微带输运的解析理论。

1994年，《半导体输运理论》荣获“中国科学院自然科学奖一等奖”。

1995年，提出用6个有效质量系数和6个非抛物系数描述任意形状的能带系统在电场和磁场同时存在时的输运性质的方程，为研究复杂能带材料在强电场下的半导体磁输运提供一个简便而系统的方法。

1995年，《半导体输运的平衡方程理论》荣获“国家自然科学奖二等奖”。

1998年，提出研究强太拉赫兹电磁场中半导体非线性电子输运和光学性质的新的平衡方程理论。