一、euv光刻胶是什么

euv光刻胶也称极紫外光刻胶或EUVL，是一种使用极紫外（EUV）波长的下一代光刻技术。EUV光刻胶采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。

二、euv光刻胶的缺点

EUV光刻胶用于晶圆厂的芯片生产，它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化，在操作中，EUV的扫描仪产生光子，最终与晶圆上的光敏材料光刻胶相互作用，以形成精确的特征化图案。

不过，并不是每次都可以实现精确图案化，在EUV中，光子撞击光刻胶发生反应且这一动作重复多次，这些过程充满不可预测性和随机性，可能会产生新的反应，也就是说EUV光刻工艺容易出现所谓的随机性，是具有随机变量的事件，这些变化被统称为随机效应。随机效应有时会导致芯片中出现不必要的接触缺陷或有粗糙度的图案，两者都会影响芯片的性能，甚至导致设备出现故障。

在操作中，EUV扫描仪应该在芯片中创建各种图案，例如微小的接触孔、线条和通孔，并且具有良好的均匀性。但有时，扫描仪可能无法图案化所需线条，出现换行符，无法打印每一个接触孔，出现缺失接触，其他情况下，该过程还会导致一个或多个孔合并，出现“接吻接触”。

换行符、缺失接触和接吻接触都被认为是随机效应引起的缺陷，另一个随机效应是线边缘粗糙度（LER）。LER被定义为特征边缘与理想形状的偏差，不随特征大小而缩放，因此是有问题的。